（Al）GaInP材料的MOCVD生长研究

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【摘要】

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对可见光半导体光电子材料Ga0.5In0.5P、(AlxGa1-x)0.5In0.5P的MOCVD生长进行了研究.使用X射线双晶衍射和PL谱测量结合的手段,研究了生长速度和生长温度对材料质量的影响.根

【作者】

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俞波李建军盖红星牛南辉邢艳辉邓军韩军廉鹏沈光

【机构】

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北京工业大学电控学院光电子技术实验室

【出处】

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激光与红外

【发表日期】

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2005年3期

【关键词】

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金属有机化合物汽相淀积 ALGAINP GAINP metallorganic chemical vapor deposition AlGaInP GaInP

【基金项目】

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国家重点基础研究发展计划(973计划)

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对可见光半导体光电子材料Ga0.5In0.5P、(AlxGa1-x)0.5In0.5P的MOCVD生长进行了研究.使用X射线双晶衍射和PL谱测量结合的手段,研究了生长速度和生长温度对材料质量的影响.根据测试结果优化了(Al)GaInP材料的生长速度和生长温度.为研制出高性能的650nm半导体激光器打下良好的材料基础.

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