使用MOCVD技术生长了 980nmVCSEL ,在GaAs/AlGaAsDBR对的生长过程中通过相干反射率测量方法实现了在位监测和实时校正生长。白光反......

对可见光半导体光电子材料Ga0.5In0.5P、(AlxGa1-x)0.5In0.5P的MOCVD生长进行了研究.使用X射线双晶衍射和PL谱测量结合的手段,研究......

使用MOCVD技术生长了980 nm VCSEL,在GaAs/AlGaAs DBR对的生长过程中通过相干反射率测量方法实现了在位监测和实时校正生长.白光反......

通过瞬态反射各向异性谱和瞬态反射谱在线监测和研究了AlxGa1-xAs的生长过程,利用金属有机化合物汽相淀积技术在GaAs（001）衬底上生长......

利用反射各向异性谱（RAS）和反射谱在线监测了AlxGa1-xAs样品的金属有机化合物汽相淀积（MOCVD）外延生长过程。通过在线监测得到的RAS和......

对可见光半导体光电子材料Ga0. 5In0. 5P、(AlXGa1-X)0. 5In0. 5P的MOCVD生长进行了研究。使用X射线双晶衍射和PL谱测量结合的手段......

外延膜层厚度的精确性对垂直腔面发射激光器（VCSEL）是十分重要的。应用传输矩阵方法分析了厚度偏差对半导体布拉格反射镜（DBR）反射谱的......