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采用量子尺寸的多孔硅作为衬底，利用区域优先成核在多孔硅表面上成功地生长了Ge量子点，由于量子限制效应锗的PL谱发生了明显的蓝移，计算表明在傅里叶红外光变中观察到的中红外（5－6μm)吸收峰是源于量子点中的亚能带跃迁（两个重穴能级之间的跃迁），这为Ge量子红外光探测器的应用提供了理论基础。
多孔硅上生长Ge量子点的光学特性
【摘 要】
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采用量子尺寸的多孔硅作为衬底，利用区域优先成核在多孔硅表面上成功地生长了Ge量子点，由于量子限制效应锗的PL谱发生了明显的蓝移，计算表明在傅里叶红外光变中观察到的中红外（5－6
【机 构】
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浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江大学微系统研究与开发中心
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2001年9期
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目 (批准号 :6 96 86 0 0 2 )~~
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