铜扩散相关论文
使用金相切片、扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)等分析方法,研究了ENIG(Electroless Nickel and Immersion Gold,ENIG)工艺......
期刊
用射频等离子增强化学气相沉积技术(RF-PECVD)制备非晶碳化硅(a-SiC:H)和不同掺氮量的碳化硅基(a-SiCNx:H)介质薄膜.采用傅里叶红......
采用热重分析仪和扫描电镜研究了不同加热温度和升温速率下Ni/Cu比为0.39的低Ni/Cu比含铜钢铜富集行为。研究结果表明:在1050~1300......
随着集成电路工艺不断发展,铜互连体系将逐步取代铝互连系统.铜互连工艺的一个重要课题是扩散阻挡层的研究.随着集成度不断提高,对......
薄电影的 TaNx nanoscale 和 Cu/TaNx 多层的结构被 DC 反应磁控管劈啪作响在 P 类型 Si (100 ) 底层上扔。TaNx 电影的特征和 Cu/......
研究了2A12淬火板在气垫炉重复淬火对力学性能、铜扩散组织及晶粒度的影响,并分析了自然时效后不同冷变形量对力学性能、组织的影响......
测定了铜在单相α合金(Al-1.5wt%Cu-0.4wt%Si)和α+Si两相合金(Al-1.5wt%Cu.12.5wt%Si)中的扩散系数。单相α合金扩散偶(Al-3.0wt%Cu-0.4wt%Si/Al-0.4wt%S......
利用磁控溅射方法在表面有SiO2层的Si基片上溅射Ta/NiFe薄膜,采用X射线光电子能谱(XPS)研究了SiO2/Ta界面以及Ts5Si3标准样品,并进行计......
怎么使用的一些信息在原处决定了 Cuto 的散开系数在极端大规模集成(ULSI ) 做 Cu 敷金属法的障碍层被提供。在在低温度的公司的 C......
在90 nm工艺时代,接触孔工艺问题对于提升90 nm产品的成品率具有重要意义。基于在90 nm工艺中接触孔四周存在的较为严重的Cu扩散问......
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通过对失效焊点界面合金层的仔细分析和实验验证,发现了过度回流以及镍镀层龟裂将使焊盘基材上镀层铜异常地长距离扩散到金属间化......
随着集成电路工艺进入深亚微米阶段,后端的金属互连大多采用铜互连技术。但由于铜的扩散问题,接触孔工艺还是采用钨填充技术。随着......
随着半导体器件尺寸的不断缩小,互连对芯片速度、可靠性、功耗等性能的影响越来越大。互连材料和工艺技术的改进成为集成电路技术......
研究了2024合金退火温度和退火保温时间对O态板材铜扩散的影响,同时研究了重复淬火次数、淬火保温时间对T42、T62态板材铜扩散的影......