【摘 要】
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利用射频共溅射方法制备了一系列不同金属含量工的Fex（SiO2）（1-x）金属-绝缘体颗粒膜，系统地研究了薄膜的霍尔效应及其产生机理。在室温和1.3T的磁场下，当体积分数为0．52时，霍尔电阻率
【机 构】
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电子科技大学物理电子学院,兰州大学教育部应用磁学开放实验室
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利用射频共溅射方法制备了一系列不同金属含量工的Fex（SiO2）（1-x）金属-绝缘体颗粒膜，系统地研究了薄膜的霍尔效应及其产生机理。在室温和1.3T的磁场下，当体积分数为0．52时，霍尔电阻率有最大值为18．5μΩ·cm。样品的电阻率温度曲线研究表明异常霍尔电阻率可能来源于3d局域电子-电子的散射作用．在300℃以内的不同温度下将Fe0.52（SiO2）0.48颗粒膜回火，饱和霍尔电阻率随温度的变化不大，样品具有良好的热稳定性，这表明Fe0.52（SiO2）0.48颗粒膜在300℃下的温度范围
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