【摘 要】
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采用真空热蒸发与PECVD方法,在特殊设计的"单反应室双沉积法"薄膜沉积设备中沉积a-Si:H/Al/ a-Si:H三层复合薄膜,并利用XRD,XPS及SEM等方面对薄膜在不同温度退火后的晶化行为
【机 构】
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浙江大学材料系硅材国家重点实验室(杭州)
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采用真空热蒸发与PECVD方法,在特殊设计的"单反应室双沉积法"薄膜沉积设备中沉积a-Si:H/Al/ a-Si:H三层复合薄膜,并利用XRD,XPS及SEM等方面对薄膜在不同温度退火后的晶化行为进行了研究.结果表明,随着热处理过程的进行,金属Al逐步向表面扩散,在金属Al诱导下a-Si:H层出现晶化的温度不高于250℃.在Al层厚度低于22nm时, a-Si:H向晶态硅转变量的与Al量厚度无关.
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