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近日，紫光集团旗下武汉新芯集成电路制造有限公司宣布，采用50nm Floating Gate工艺SPI NOR Flash宽电压产品系列XM25QWxxC全線量产，产品容量覆盖16Mb～256Mb。该系列支持低功耗宽电压工作，为物联网、可穿戴设备和其它功耗敏感应用提供灵活的设计方案。据悉，该公司是一家非易失性存储供应商。
新产品在1.65V～3.6V电压范围内读取速度可达每秒133MHz，可以更好地支持电池供电便携式产品的工作要求。在电源电压下降后，时钟速度没有任何减慢，其传输速率可以胜过8位和16位并行闪存。在连续读取模式下，新产品能实现高效的存储器访问，仅需8个时钟的指令周期即可读取24位地址，从而实现真正的芯片内执行操作，这样系统可以直接从Flash闪存内读取指令并执行，不必再把代码读到RAM中运行，加快了数据处理速度，更好地满足各类嵌入式应用的实时性要求。
此外，该系列产品工作温度也可以达到-40℃～105℃的工业级温度范围，这能满足物联网、工控、通信等对外部工作环境要求苛刻的应用模块。
“XM25QWxxC系列产品采用50nm Floating Gate工艺，在性能和成本方面进一步提高了竞争力。”武汉新芯运营中心副总裁孙鹏表示，“针对快速发展的IoT和5G市场，公司将持续投入研发自有品牌的闪存产品，不断拓展产品线，为客户带来更多高性价比的产品与解决方案。”
武汉新芯的50nm产品在Channel length、Layout、Design rule以及外围电路方面都做了优化，有效减小芯片面积，综合成本全球最低。其中，256Mb大容量宽电压产品die size比市场主流产品缩小15%～20%左右，且可支持SOP8小尺寸封装形式。
新产品在1.65V～3.6V电压范围内读取速度可达每秒133MHz，可以更好地支持电池供电便携式产品的工作要求。在电源电压下降后，时钟速度没有任何减慢，其传输速率可以胜过8位和16位并行闪存。在连续读取模式下，新产品能实现高效的存储器访问，仅需8个时钟的指令周期即可读取24位地址，从而实现真正的芯片内执行操作，这样系统可以直接从Flash闪存内读取指令并执行，不必再把代码读到RAM中运行，加快了数据处理速度，更好地满足各类嵌入式应用的实时性要求。
此外，该系列产品工作温度也可以达到-40℃～105℃的工业级温度范围，这能满足物联网、工控、通信等对外部工作环境要求苛刻的应用模块。
“XM25QWxxC系列产品采用50nm Floating Gate工艺，在性能和成本方面进一步提高了竞争力。”武汉新芯运营中心副总裁孙鹏表示，“针对快速发展的IoT和5G市场，公司将持续投入研发自有品牌的闪存产品，不断拓展产品线，为客户带来更多高性价比的产品与解决方案。”
武汉新芯的50nm产品在Channel length、Layout、Design rule以及外围电路方面都做了优化，有效减小芯片面积，综合成本全球最低。其中，256Mb大容量宽电压产品die size比市场主流产品缩小15%～20%左右，且可支持SOP8小尺寸封装形式。