【摘 要】
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首次在国内成功地制作了栅长为70nm的高性能CMOS器件．为了抑制70nm器件的短沟道效应同时提高它的驱动能力，采用了一些新的关键工艺技术，包括3nm的氮化栅氧化介质，多晶硅双栅电极，
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首次在国内成功地制作了栅长为70nm的高性能CMOS器件．为了抑制70nm器件的短沟道效应同时提高它的驱动能力，采用了一些新的关键工艺技术，包括3nm的氮化栅氧化介质，多晶硅双栅电极，采用重离子注入的超陡倒掺杂沟道剖面，锗预无定形注入加低能注入形成的超浅源漏延伸区，以及锗预无定形注入加特殊清洗处理制备薄的、低阻自对准硅化物等．CMOS器件的最短的栅长(即多晶硅栅条宽度)只有70nm，其NMOS的阈值电压、跨导和关态电流分别为0.28V、490mS/m和0.08nA／μm；而PMOS阈值电压、跨导和关态电流分别为－0.3V、340mS／mm和0.2nA／μm．并研制成功了100nm栅长的CMOS57级环形振荡器，其在1.5V、2V和3V电源电压下的延迟分别为23.5ps/级、17.5ps/级和12.5ps/级．
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