源漏延伸区相关论文
首次在国内成功地制作了栅长为 70 nm的高性能 CMOS器件 .为了抑制 70 nm器件的短沟道效应同时提高它的驱动能力 ,采用了一些新的......
首次在国内成功地制作了栅长为70nm的高性能CMOS器件．为了抑制70nm器件的短沟道效应同时提高它的驱动能力，采用了一些新的关键工艺技......
首次在国内成功地制作了栅长为70nm的高性能CMOS器件。为了抑制70nm器件的短沟道效应同时提高它的驱动能力，采用了一些新的关键工艺......
