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本文介绍的高性能多晶硅压力传感器,以重掺杂的LPCVD多晶硅薄膜作应变敏感电阻,用二氧化硅层隔离单晶硅衬底,使其工作温度高达200℃以上,若用恒流源供应惠斯登电桥,即使在没有外电路补偿情况下,灵敏度系数(TDS)也仅1.32×10~(-6)FS/℃,可实现近乎理想的灵敏度温度补偿.
高性能多晶硅压力传感器的研制
【摘 要】
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本文介绍的高性能多晶硅压力传感器,以重掺杂的LPCVD多晶硅薄膜作应变敏感电阻,用二氧化硅层隔离单晶硅衬底,使其工作温度高达200℃以上,若用恒流源供应惠斯登电桥,即使在没
【机 构】
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天津大学电子工程系,天津大学电子工程系
【出 处】
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传感技术学报
【发表日期】
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1993年1期
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