用涂碳石英管生长碲化物晶体的工艺分析

来源 :红外与毫米波学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jick85726
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用经内壁涂碳膜的石英坩埚生长PbTe,CdTe和HgCdTe等的Ⅱ~Ⅳ族和Ⅳ~Ⅵ族化合物晶体,由X射线光电子能谱仪(XPS),原子吸收光谱和高频红外碳硫分析技术分析了多组涂碳和未涂碳、用和未用长晶的石英管内壁及相应的晶体表面,结果表明牢固的碳膜不会对生长晶体引进明显的碳沾污,可以避免石英同生长晶体的粘连. The crystals of Ⅱ ~ Ⅳ and Ⅳ ~ Ⅵ compounds such as PbTe, CdTe and HgCdTe were grown by quartz crucible coated with inner wall by X - ray photoelectron spectroscopy (XPS), atomic absorption spectrometry and high frequency infrared carbon and sulfur analysis Technical analysis of multiple sets of carbon coated and uncoated, with and without the use of long quartz crystal quartz tube wall and the corresponding crystal surface, the results show that the solid carbon film will not introduce significant crystal growth of carbon stains, quartz can be avoided The growth of crystal adhesion.
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