【摘 要】
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非晶态氧化物半导体材料因其优良的性能而发展迅速,而非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管（a-IGZO TFT）更是凭借其电学特性的优良以及高可见光透过率而成为研究的热点。本文综述了a-IGZ
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非晶态氧化物半导体材料因其优良的性能而发展迅速,而非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管（a-IGZO TFT）更是凭借其电学特性的优良以及高可见光透过率而成为研究的热点。本文综述了a-IGZO TFT与非晶硅TFT（a-Si∶H）在载流子迁移率、亚阈值摆幅等电学特性方面产生较大差异的原因,并且探究了a-IGZO TFT的沟道宽度对其电学性能的影响。
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