沟道宽度相关论文
我们提出一种新型的表面肖特基栅的a-Si∶H静电感应晶体管.这种管子制备工艺简单,界面特性良好.计算机模拟结果表明,隙态密度和沟......
这篇文章给出了高温CMOS模拟集成电路中MOST沟道宽度的设计规则,并分析了该规则对电路小信号增益和电路直流工作点的影响.......
目前,NEC首次采用抑制过度加速扩散法抑制0.1μmCMOS反向窄沟道效应. 在低电源电压化、高集成化进展的先进LSI中,晶体管的微细化是......
描述了宽温超高频ｐｎｐ双极静电感应晶体管的结构、工作原理、设计与制造。测试结果表明，环境温度从２３℃升到１８０℃时，器件的ｈＦＥ随温度平均变化率小......
随着MOS器件尺寸缩小,可靠性效应成为限制器件寿命的突出问题.PMOS晶体管的负偏压温度不稳定性（NBTI）是其中关键问题之一.NBTI效应与......
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静电感应晶体管（SIT）的I－V特性（包括类三极管、类五极管以及三一五极管的混合特性）与器件的结构密切相关．沟道长度lc、沟道宽度dc、比值l......
描述了宽温超高频ｐｎｐ双极静电感应晶体管的结构、工作原理、设计与制造。测试结果表明，环境温度从２３℃升到１８０℃时，器件的ｈＦＥ随温度平均变化率小......
文章采用萨方程对CMOS工艺的6管静态存储单元结构进行分析计算,探讨了在工艺特征尺寸确定的情况下,晶体管沟道宽度为何值时存储阵......
基于测试结果,研究了不同沟道宽度、沟道长度对深亚微米单叉指栅接地N型金属氧化物半导体静电放电保护器件性能的影响机制,并得出......
关于高功率微波（HPM）对半导体器件影响的研究往往采用二维仿真模型,而器件宽度作为第三个维度,对仿真结果的影响并没有得以足够的重......
The effects of packing configurations on the phase transition of straight granular chute flow with two bottlenecks are s......
本文基于理论的方法研究了沟道长度和宽度对石墨烯场效应晶体管中大信号和小信号参数的影响.在快速饱和及高特征频率条件下,石墨烯......
用射频磁控溅射法生长的ZnO薄膜作为有源层,制备出了ZnO基薄膜晶体管(ZnO-TFT),并在空气环境下350℃退火1 h,研究了沟道宽度对ZnO-......
随着MOS器件尺寸缩小,可靠性效应成为限制器件寿命的突出问题.PMOS晶体管的负偏压温度不稳定性(NBTI)是其中关键问题之一.NBTI效应......
Huai 河(MRHR ) 的中间的活动范围向东北流进洪泽胡·莱克。在进入洪泽胡·莱克前， Huai 河有浅、宽的一条编织隧道，并且河......
对于实际有机静电感应晶体管（Organic Static Induction Transistor，简称OSIT）器件，采用Marc有限元法建立物理模型，选取合适的结构参数，......
半导体微结构的尺度可以与电子的相位相干长度相比较，在输运过程中，电子保持“相位记忆”，表现为量子弹道式输运和具有量子相干性．本文......
非晶态氧化物半导体材料因其优良的性能而发展迅速,而非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管（a-IGZO TFT）更是凭借其电学特性的优良以及高可见......
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