论文部分内容阅读
在保持Si晶体模型完全周期性的边界条件下，采用位错偶极子模型在其内部建立一对螺位错．通过Parrinello-Rahman方法对模型施加剪应力，并应用分子动力学计算位错运动速度及交滑移的发生与外加剪应力间的关系．在此基础上进一步研究晶体内的空位缺陷对螺位错运动的影响。结果表明，在位错滑移面上的六边形环状空位聚集体可加速螺位错的运动，并且螺位错能通过交滑移跨越该空位缺陷，避免产生钉扎现象．揭示了低温层中大量存在的空位缺陷是降低位错密度的原因．