NiAl是研究有序金属间化合物形变与断裂的典型模型材料.在过去30多年中,从实验和理论上对NiAl的屈服应力反常行为、B的韧化作用和......

完全弛豫且具有低位错密度的SiGe/Si虚层衬底技术近年来在微电子，激光，微波等领域应用的非常广泛，对其性能的研究具有重大的理论和现......

在S i晶体中建立了60°位错偶极子模型并通过Parrinello-Rahm an方法施加剪应力,使用分子动力学方法研究了60°位错在不同的温度和......

在保持Si晶体模型完全周期性的边界条件下，采用位错偶极子模型在其内部建立一对螺位错．通过Parrinello-Rahman方法对模型施加剪应力，......

在Si晶体中建立了60°位错偶极子模型并通过Parrinello—Rahman方法施加剪应力，使用分子动力学方法研究了60°位错在不同的......