论文部分内容阅读
研究了在改性注氧隔离（SIMOX）材料上制备的具有环栅和H型栅结构的部分耗尽NMOS晶体管在三种不同偏置状态的总剂量辐照效应。实验表明在10keV的X-射线总剂量辐照下，器件的背栅、正栅阈值电压负向漂移和漏电流都控制在较小的水平；在2Mrad（SiO2）的辐照下仍能正常工作。研究证实了无论哪种栅结构，对于背栅，PG均为最劣偏置，其次是OFF偏置，而ON偏置下器件受辐照的影响最小；而对于正栅，ON均为最劣偏置。通过拟合计算出了绝缘埋层（BOX，即埋氧）中的饱和净正电荷密度Not和空穴俘获分数α。