【摘 要】
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本文介绍用多次(低剂量)注氧的SOI衬底制作双极集成电路得到的辐射响应的改进情况。用这种衬底制作的双极74ALS00门电路与相同的体硅电路相比,对总剂量和剂量率辐射响应有所
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本文介绍用多次(低剂量)注氧的SOI衬底制作双极集成电路得到的辐射响应的改进情况。用这种衬底制作的双极74ALS00门电路与相同的体硅电路相比,对总剂量和剂量率辐射响应有所改进。
This article describes how to improve the radiative response of a bipolar integrated circuit using a multiple (low dose) oxygen-infused SOI substrate. Bipolar 74ALS00 gate circuits made with this substrate have improved radiation response to the total dose and dose rates compared to the same bulk silicon circuit.
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