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采用电感耦合等离子质谱仪（ICP-MS）和光致发光的手段研究了In在Cd0.9Zn0.1Te晶体中的分布及存在状态,浓度测试结果表明，In的分凝特性受生长条件影响很大，沿晶体轴向有效分凝因数在0．19到0．5之间变化。对高电阻和低电阻In掺杂Cd0.9Zn0.1Te晶体光致发光强度与温度依赖关系的研究表明，高电阻晶体D^0X峰存在两个热激活能2．8meV和21meV，低电阻晶体A^0X热激活能为3．4meV。分析认为In掺杂导致的自补偿效应是导致掺杂效率低下的原因。