【摘 要】
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本文用热重分析仪、X射线衍射仪和扫描电子显微镜(SEM)研究了两种不同粒度(0.28~104.71μm,39.81~954.99μm)的碳化硅粉体在20~1 400℃温度范围内非等温氧化的特性,结果表明:
【机 构】
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河南工业大学,郑州大学材料科学与工程学院
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本文用热重分析仪、X射线衍射仪和扫描电子显微镜(SEM)研究了两种不同粒度(0.28~104.71μm,39.81~954.99μm)的碳化硅粉体在20~1 400℃温度范围内非等温氧化的特性,结果表明:(1)粒度较小的1#试样的比表面积是2#试样的20多倍,1#试样氧化开始温度为560℃,而2#试样的氧化开始温度为870℃,1#试样在1 400℃的氧化增重率为2.36%,2#试样的增重率为1.14%。这表明在相同实验条件下,碳化硅粒度越小,活性越高,氧化程度越高。(2)粒度较小的碳化硅氧化产物为方石英。(3)SEM表明SiC表面生成SiO2保护膜可封闭部分气孔,阻止O2向内扩散,为保护性氧化。
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