（CdZnTe，ZnSeTe）／ZnTe复合量子阱中的超快速激子衰减

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【摘要】

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为了研究低维半导体结构中的激子过程,并进一步实现超快速的激子衰减,设计了一种新型的(CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱结构,并用低压金属有机化学气相沉积方法(LPMOCVD)制备

【作者】

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张振中申德振张吉英单崇新张立功杨春雷吕有明刘益

【机构】

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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

【出处】

：

发光学报

【发表日期】

：

2003年3期

【关键词】

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低维半导体结构超快速激子衰减 (CdZnTe ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱泵浦-探测光开关全光计算机 (CdZnTe ZnSeTe)/ZnTe c

【基金项目】

：

国家攀登计划，国家自然科学基金，国家自然科学基金，中国科学院"百人计划"

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为了研究低维半导体结构中的激子过程,并进一步实现超快速的激子衰减,设计了一种新型的(CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱结构,并用低压金属有机化学气相沉积方法(LPMOCVD)制备出来.用泵浦-探测方法,采用反射式光路测量了该复合结构中CdZnTe/ZnTe量子阱的激子衰减,单指数衰减拟合给出690fs的下降沿时间.

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