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水热合成Zn_0.9Ni_0.1O稀磁半导体粉体

来源 :人工晶体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：mitsuaki

【摘 要】

：

采用水热法,以3 mol/L的KOH作为矿化剂,在260℃下,保温24 h左右,进行Ni掺杂(x=0.1 mol),合成Zn1-xNixO稀磁半导体晶体。XRD测试表征以KOH作为矿化剂能够制备出发育良好的Zn0.

【作 者】

：

李慧勤 苗鸿雁 谈国强 安百江 夏傲 

【机 构】

：

陕西科技大学材料科学与工程学院,宝鸡文理学院化学化工系,陕西宝光真空电器股份有限公司

【出 处】

：

人工晶体学报

【发表日期】

：

2009年S1期

【关键词】

：

稀磁半导体 Zn1-xNixO 水热法 铁磁性 Zn1-xNixO diluted magnetic semiconductor hydrothermal me 

【基金项目】

：

国家自然科学基金(No.5067205550872077),国家科技支撑计划资助项目(2006BAF02A28),陕西科技大学研究生创新基金

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采用水热法,以3 mol/L的KOH作为矿化剂,在260℃下,保温24 h左右,进行Ni掺杂(x=0.1 mol),合成Zn1-xNixO稀磁半导体晶体。XRD测试表征以KOH作为矿化剂能够制备出发育良好的Zn0.9Ni0.1O稀磁半导体晶体,没有其它杂质相的产生。通过UV/Vis测试进一步说明掺杂的效果,掺杂使ZnO的禁带宽度降低至3.18 eV。FE-SEM测试显示所制备的晶体呈现长柱状。VSM测试表明,所制备的样品Zn0.9Ni0.1O在室温下表现出铁磁性。文章采用水热法制备出了具有铁磁性能的稀磁半

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