用改进升华方法生长ZnSe单晶

来源 :人工晶体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:shuyun99a55
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本文在反复实验的基础上对升华法生长ZnSe单晶的技术进行了改进,提出了晶体生长与成核定形状无关的新观点。经改进可将晶体的生长温度从前人的1050℃降低到950℃;生长周期从三周缩短到一周。另外,还设计了Se单质的二次提纯装置。实验结果表明:用改进的方法生长的ZnSe单晶质量是高的。
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