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采用高效、低成本的紫外压印技术(UV—IL)在2in.Si/SiO2基Ti/TiN/Si2Sb2Te5(SST)多层膜表面制备了密度为3.8M/In^2的AMONIL点阵结构,并通过反应离子刻蚀得到相变材料SST阵列;电阻与脉冲宽度特性测得SST基PCRAM存储单元SET/RESET电阻值变化约30倍,Ⅰ—Ⅴ特性表明,阈值电压为1.18V。此外,时间分辨XRD原位加热情况下SST薄膜结构变化说明,SST材料的相变发生在200℃~300℃之间。