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利用压印技术制备大面积相变材料阵列
采用高效、低成本的紫外压印技术(UV—IL)在2in.Si/SiO2基Ti/TiN/Si2Sb2Te5(SST)多层膜表面制备了密度为3.8M/In^2的AMONIL点阵结构,并通过反......
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