【摘 要】
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通过实验研究了Ｎｄ２Ｏ３，Ｎｂ２Ｏ５，Ｓｍ２Ｏ３添加量对还原再氧化型ＢａＴｉＯ３半导体陶瓷电容器材料性能的影响，同时优化了烧结工艺，获得了Ｃ〉０．５μＦ／ｃｍ＾３，ｔｇδ〉３．５×１０＾２，ρ〉４×１０＾１１Ω．ｃｍ，│ΔＣ／Ｃ（－２５＋８５℃）〈＋３０８０％，Ｖｂ〉４２０Ｖ的实用半导体陶瓷电容器材料。
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通过实验研究了Ｎｄ２Ｏ３，Ｎｂ２Ｏ５，Ｓｍ２Ｏ３添加量对还原再氧化型ＢａＴｉＯ３半导体陶瓷电容器材料性能的影响，同时优化了烧结工艺，获得了Ｃ〉０．５μＦ／ｃｍ＾３，ｔｇδ〉３．５×１０＾２，ρ〉４×１０＾１１Ω．ｃｍ，│ΔＣ／Ｃ（－２５＋８５℃）〈＋３０８０％，Ｖｂ〉４２０Ｖ的实用半导体陶瓷电容器材料。
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