【摘 要】
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基于SMIC 180nm CMOS工艺,设计了一款用于北斗导航接收机射频前端的低噪声放大器。在该低噪声放大器中,所有电感均为片上实现,提高了集成度;采用差分结构,提升了共模噪声抑制
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基于SMIC 180nm CMOS工艺,设计了一款用于北斗导航接收机射频前端的低噪声放大器。在该低噪声放大器中,所有电感均为片上实现,提高了集成度;采用差分结构,提升了共模噪声抑制能力。LNA的输入和输出均为50Ω标准阻抗匹配。测试结果表明,当频率为1.27GHz时,该LNA的功率增益为15dB,噪声系数(NF)为2.3dB,1dB压缩点(P1dB)为-6dBm。差分电路单路功耗为25mW,芯片面积为1.2mm2。
Based on the SMIC 180nm CMOS process, a low-noise amplifier designed for the RF front-end of Beidou navigation receivers was designed. In this low-noise amplifier, all inductors are implemented on-chip for increased integration, and the differential structure improves common-mode noise rejection. The input and output of the LNA are 50Ω standard impedance matching. The test results show that the power gain of the LNA is 15dB, the noise figure (NF) is 2.3dB, and the 1dB compression point (P1dB) is -6dBm when the frequency is 1.27GHz. Differential circuit single power consumption of 25mW, the chip area of 1.2mm2.
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