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期刊论文
CMOS数字电路抗热载流子研究
CMOS数字电路抗热载流子研究
来源 :电子产品可靠性与环境试验 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jkdjzzg
【摘 要】
:
介绍了热载流子效应与电路拓扑结构及器件参数之间的关系,并在此基础上提出了基本逻辑门的一些抗热载流子加固方法.通过可靠性模拟软件验证这些方法,为CMOS数字电路提高抗热
【作 者】
:
杜春艳
庄奕琪
罗宏伟
李小明
【机 构】
:
西安电子科技大学微电子研究所,西安电子科技大学微电子研究所
【出 处】
:
电子产品可靠性与环境试验
【发表日期】
:
2004年1期
【关键词】
:
热载流子效应
可靠性设计
可靠性模拟
HCE reliability design reliability simulation
【基金项目】
:
国家重点实验室基金
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介绍了热载流子效应与电路拓扑结构及器件参数之间的关系,并在此基础上提出了基本逻辑门的一些抗热载流子加固方法.通过可靠性模拟软件验证这些方法,为CMOS数字电路提高抗热载流子能力提供了参考.
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