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研究了光子晶体点缺陷在入射光激励下的响应特性，通过理论分析可以获得点缺陷的透射谱。分析发现，非线性点缺陷的缺陷模在入射光的激励下发生动态移动，且满足两个特征：首先，入射光功率强度越大，缺陷模移动幅度越大。其次，整个缺陷模的透射率随着功率强度的增大而降低。采用泵浦-探测技术的数值模拟方法可获得非线性点缺陷的动态特征。泵浦光和探测光可以选择不同频率以使缺陷模的特征比较清晰。所得现象与理论分析结果一致。该结论为该类光子晶体的应用提供理论依据。