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期刊论文
电子横向运动对共振隧穿的影响
电子横向运动对共振隧穿的影响
来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xuezhiyong2003
【摘 要】
:
讨论了电子横纵方向运动耦合时的隧穿现象.对CdSe/Zn1-xCdxSe方形双势垒结构和抛物形双势垒结构的数值计算表明,在零偏压和非零偏压情况下,电子横向运动对共振隧穿的影响是不
【作 者】
:
宫箭
班士良
【机 构】
:
内蒙古大学物理系
【出 处】
:
发光学报
【发表日期】
:
2001年1期
【关键词】
:
共振隧穿
耦合效应
透射系数
电子横向运动
蓝光发射器
半导体
异质结构
GaAs/Ga1-xAlxAs
方形双势垒
抛物形双势垒
resonant tunne
【基金项目】
:
国家自然科学基金,教育部高校骨干教师资助计划,教育部留学回国人员科研启动基金,内蒙古人才工程项目
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讨论了电子横纵方向运动耦合时的隧穿现象.对CdSe/Zn1-xCdxSe方形双势垒结构和抛物形双势垒结构的数值计算表明,在零偏压和非零偏压情况下,电子横向运动对共振隧穿的影响是不容忽略的 .
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