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据美国物理学家组织网4月19日报道,由美国匹兹堡大学领导的一个研究小组日前宣布,他们制造了一种核心组件直径只有1.5nm的超小型单电子晶体管。该装置是制造下一代低功耗、高密度超大规模集成电路理想的基本器件,具有极广泛的应用价值。相关论文发表在最新一期《自然·纳米技术》杂志上。单电子晶体管是用一个或几个电子就能记录信号的晶体管,其尺度都处于纳米级别。随着集成电路技术的发展,电子元件的尺寸越来越小,由单电子晶体管组成的电路日益受到研究人员的青睐,其高灵敏度的特性和独特的电气性能使其成为未来随机存储器