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在溶液的pH=2．7，离子浓度比Sn^2＋／S2O3^2-=1／5，沉积电位为-0．72～-0．75V（vs．SCE）的条件下，控制溶液的温度在30～50℃之间变化，用阴极恒电位电沉积法在ITO导电玻璃基片上沉积SnS薄膜。通过对薄膜的结构和光学性能研究，结果表明：溶液的温度越高，制备出的SnS薄膜更加致密，均匀，薄膜的衍射峰也越来越明显；同时SnS薄膜对光的吸收范围也向长波方向拓宽。