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对LN晶片进行了Sr^2+扩散的实验研究，研究表明，LN晶体的Sr^2+扩散宜选择LNLi：SrO=80:20的陶瓷粉为扩散源，于950℃下扩散25h。Sr^2+扩散主要是通过缺陷进行的，扩散系数较大，扩散活化能较小，可在较低的温度下进行，扩散最大量为8.07%，且Sr^2+扩散杂质分布较Sr^2+掺杂杂质分布均匀。