【摘 要】
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本文分析了(Ba-Pb)TiO_3系半导瓷材料中载流子浓度与铅含量之间的关系,针对这类高含铅的PTC材料中载流子浓度小的特点,重点讨论了掺杂元素锰对其室温电阻率和PTC效应的影响,
【机 构】
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华中工学院固体电子学系,华中工学院固体电子学系,华中工学院固体电子学系
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本文分析了(Ba-Pb)TiO_3系半导瓷材料中载流子浓度与铅含量之间的关系,针对这类高含铅的PTC材料中载流子浓度小的特点,重点讨论了掺杂元素锰对其室温电阻率和PTC效应的影响,并且指出,制备高含铅PTC半导瓷材料可以不掺或少掺锰。
In this paper, the relationship between the carrier concentration and the lead content in (Ba-Pb) TiO_3-based semiconducting porcelain was analyzed. In view of the low carrier concentration in such lead-containing PTC materials, the doping The effect of elemental manganese on the room temperature resistivity and PTC effect, and pointed out that the preparation of high lead-containing PTC semi-conductive ceramic materials can be doped or doped with less manganese.
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