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采用恒温磁力搅拌的方法，在KOH溶液中湿法刻蚀Si.在掩模层为SiO2时，研究了刻蚀速率随KOH浓度与温度的变化关系。结果表明：在110℃、30％的KOH溶液下，刻蚀Si（100）可以得到4.0μm／min的刻蚀速率，Si（100）：SiO2的刻蚀速率比为550：1，Si（100）：Si（111）的刻蚀速率比为90：1，而且可以得到光滑的刻蚀表面与形状。