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采用射频共溅射技术在石英玻璃和硅片衬底上制备出Ｇｅ－ＳｉＯ２复合薄膜，然后在真空气氛中进行热处理。利拉曼散射、Ｘ射线衍射、ＵＶ／ＶＩＳ／ＮＩＲ透射和反射谱、变温电导测试等手段对薄膜的光、电特性进行了研究。实验结果表明，用热处理的方法可以在薄膜中形成Ｇｅ纳米颗粒，Ｇｅ纳米颗粒的平均尺度约５．０ｎｍ时，薄膜的光学带宽约１．４２ｅｖ，电导激活能的最小值约为０．４３ｅｖ。