【摘 要】
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采用物理气相传输(PVT)法进行高纯半绝缘SiC晶体生长,利用高温真空解吸附以及在系统中通入HC1和H2的方法,有效降低了系统中N、B和A1等杂质的背景浓度.使用二次离子质谱(SIMS)
【机 构】
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河北普兴电子科技股份有限公司,石家庄 050200;河北省新型半导体材料重点实验室,石家庄 050200
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采用物理气相传输(PVT)法进行高纯半绝缘SiC晶体生长,利用高温真空解吸附以及在系统中通入HC1和H2的方法,有效降低了系统中N、B和A1等杂质的背景浓度.使用二次离子质谱(SIMS)对晶体中杂质浓度测试,N、B和A1浓度分别小于1×1016、1×1015和2×1014 cm-3.对加工得到的晶片进行测试,全片的电阻率均在1×1010Ω·cm以上,微管密度小于0.02 cm-2,(004)衍射面的X射线摇摆曲线半高宽为34”.结果 表明,该方法可以有效降低SiC晶体中N、B和A1等杂质浓度,提升SiC晶片的电阻率.使用该方法成功制备了4英寸(1英寸=2.54 cm)高纯半绝缘4H-SiC晶体.
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