集成电路中电迁移引起的失效和金属化可靠性

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集成电路中电迁移引起的失效和金属化可靠性[刊,英]/Itskovich,I.F,…//J.Appl.Phys.-1993,74(2).-983~987有结果显示,在正常工作状态下集成电路中完全钝化的多晶硅金属化由于电迁移而造成的开路失效可用晶格扩散,... Electrical Migration Induced Failure and Metallization Reliability in Integrated Circuits [Journal, English] / Itskovich, I. F, ... // J. Appl. Phys. -1993,74 (2). -983 ~ 987 The results show that under normal working conditions, fully passivated polysilicon metallization in the integrated circuit due to electromigration caused by open-circuit failure can be lattice-diffused, ...
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