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采用改良的Hummers法,设计L9(34)正交实验研究了石墨来源、浓硫酸用量、合成温度及95℃控温时间对所合成氧化石墨(GO)特征峰强度的影响。用X射线衍射光谱法(XRD)、激光粒度分析仪及比表面和孔隙度分析仪,对GO晶体结构和粒径分布进行了分析;利用CV和线性极化曲线法研究了GO的电容特性。结果表明,石墨来源、浓硫酸用量和95℃控温时间影响最为显著。当石墨来源为鳞片石墨、浓硫酸用量为58 mL、合成温度为25℃和95℃控温时间为12 h的工艺参数,为最佳合成工艺条件。该工艺下所制备的GO试样层间距为0