自对准硅化物工艺研究

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【摘要】

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对适用于深亚微米CMOS器件的各种自对准硅化物工艺进行了讨论,并对不同硅化物薄膜的特性进行了分析.结果表明,随着大规模集成电路特征尺寸的不断缩减及其对器件性能要求的不

【作者】

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王大海万春明徐秋霞

【机构】

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长春理工大学,长春理工大学,中国科学院

【出处】

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微电子学

【发表日期】

：

2004年6期

【关键词】

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超深亚微米 CMOS器件自对准硅化物纳米器件 Ni自对准硅化物 Ultra deep sub-micron CMOS device Self-aligned

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对适用于深亚微米CMOS器件的各种自对准硅化物工艺进行了讨论,并对不同硅化物薄膜的特性进行了分析.结果表明,随着大规模集成电路特征尺寸的不断缩减及其对器件性能要求的不断提高,常规Ti和Co的自对准硅化物工艺已经不能满足器件特征尺寸进一步缩小的需要;Ni的自对准硅化物工艺可以很好地满足超深亚微米及纳米器件对硅化物的需求.

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