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本文首先介绍功率半导体器件的四个发展阶段，重点分析了1GBT技术成功的因素及其性能特点，最后介绍本公司研制的功率半导体新器材—完全具有自我保护功能的光触发大功率品闸管以及研制l3kV光触发晶闸管的未来发展规划。
半导体——推动大功率系统的关键技术
【摘 要】
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本文首先介绍功率半导体器件的四个发展阶段，重点分析了1GBT技术成功的因素及其性能特点，最后介绍本公司研制的功率半导体新器材—完全具有自我保护功能的光触发大功率品闸管以
【机 构】
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英飞凌（新加坡）科技公司
【出 处】
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电力电子
【发表日期】
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2005年4期
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