【摘 要】
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利用扫描电子显微镜、拉曼散射光谱和光致发光谱对在SiC衬底上采用MOCVD异质外延的GaN:Mg薄膜特性进行研究发现:除了一部分Mg原子替代Ga原子呈现受主性外,大部分Mg原子以间隙
【机 构】
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西安电子科技大学技术物理学院,西安电子科技大学微电子研究所,中国科学院物理研究所光学开放实验室
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利用扫描电子显微镜、拉曼散射光谱和光致发光谱对在SiC衬底上采用MOCVD异质外延的GaN:Mg薄膜特性进行研究发现:除了一部分Mg原子替代Ga原子呈现受主性外,大部分Mg原子以间隙原子状态(Mgi)存在,并且在缺陷或者位错处大量聚集引起薄膜张力应力减小,薄膜在降温过程中由于应力不均匀会在部分区域内出现大量的裂纹;Mg的掺杂会加剧GaN无序化程度,致使薄膜质量变差;而室温下的PL谱测量表明蓝带发光由DAP(深施主-浅受主)复合引起,其中D为MgGaVN,A为MgGa.
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