【摘 要】
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本文讨论了GaAs体效应器件中阴极深凹槽掺杂分布引起的静止畴的电场分布,指出掺杂浓度、有源区长度、扩散系数及外加偏压对电场分布的影响,并与通常的Gunn器件的三角形畴模式
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本文讨论了GaAs体效应器件中阴极深凹槽掺杂分布引起的静止畴的电场分布,指出掺杂浓度、有源区长度、扩散系数及外加偏压对电场分布的影响,并与通常的Gunn器件的三角形畴模式进行了比较.
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