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温度对数字电路中单粒子瞬态脉冲的影响
温度对数字电路中单粒子瞬态脉冲的影响
来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:dongfangSS
【摘 要】
:
利用三维TCAD混合模拟研究了温度对0.18μm工艺下反相器链中DSET脉冲宽度的影响.结果发现,温度对DSET的影响要比温度对SEU的影响严重得多.在LET为60MeV.cm2/mg的条件下,当温
【作 者】
:
梁斌
陈书明
刘必慰
【机 构】
:
国防科技大学计算机学院
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
2008年7期
【关键词】
:
混合模拟
DSET
超深亚微米
辐射
mixed-mode simulation
DSET
very deep sub-micron
radiation
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利用三维TCAD混合模拟研究了温度对0.18μm工艺下反相器链中DSET脉冲宽度的影响.结果发现,温度对DSET的影响要比温度对SEU的影响严重得多.在LET为60MeV.cm2/mg的条件下,当温度从-55℃升高到125℃时,DSET脉冲宽度约增加了58.8%.
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