【摘 要】
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Czochralski grown,n-type,0.01~0.09 Ωcm(100)Si wafers,implanted with an energy of 30 keV He to a dose of 3×1016 He+/cm2 at 600 K followed by an energy of 24 ke
【出 处】
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IMP & HIRFL Annual Report
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Czochralski grown,n-type,0.01~0.09 Ωcm(100)Si wafers,implanted with an energy of 30 keV He to a dose of 3×1016 He+/cm2 at 600 K followed by an energy of 24 keV H to a dose of 2×1016 H+/cm2 at room temperature. In the experiment,the current densities of He and H are 0.8 and 0.5 μA/cm2,respectively.
Czochralski grown, n-type, 0.01 to 0.09 Ω cm (100) Si wafers, implanted with an energy of 30 keV He to a dose of 3 × 10 16 He + / cm 2 at 600 K followed by an energy of 24 keV H to a dose of 2 × 10 16 H + / cm 2 at room temperature. In the experiment, the current densities of He and H are 0.8 and 0.5 μA / cm 2, respectively.
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