以Ga₂O₃掺杂量（质量分数）为3%的ZnO-Ga₂O₃混合粉体为原料,采用热压烧结法制备GZO陶瓷。通过XRD、SEM、阿基米德排水法和四探针法对烧结试样的物相组成、显微结构、密度和电阻率等进行分析表征。结果表明:外加压力能有效降低GZO陶瓷烧结致密化温度;当外加压力为18 MPa时,随烧结温度升高,烧结体的密度和电导率增大;当烧结温度达1150℃时,烧结体密度和电导率达到最大值;但当烧结温度继续增大时,由于晶粒粗化和Zn元素挥发导致试样中气孔长大,试样致密度与导电性呈下降趋势。此外,ZnO-Ga₂O₃混合粉体在烧结温度较低时（1050℃）,Ga₂O₃与ZnO固相反应生成ZnGa₂O₄立方尖晶石相;随着烧结温度升高,ZnGa₂O₄将与ZnO继续反应,生成与ZnO六方纤锌矿结构呈共格关系的复杂化合物ZnxGa₂O_x+3,并且化合物化学式中x值随着烧结温度的升高而增加,化合物晶体结构逐渐接近ZnO六方纤锌矿结构。