【摘 要】
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紫外有机发光器件(OLED)的宽带隙发光分子限制了空穴注入效率,从而导致载流子复合低效,器件发展受限.可溶液处理工艺兼顾了低成本、高可控性及规模生产的时代特色.本文报道了利用溶液法制备的WCl6及其与聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸掺杂复合物(PEDOT:PSS+WCl6)调控近紫外OLED的空穴注入特性,实现了高效率近紫外有机发光.X射线光电子能谱、紫外-可见光吸收光谱等分析表明,WCl6和PEDOT:PSS+WCl6薄膜具有优异的电子特性和光透过性.伏安特性和阻抗谱分析表明,空穴注入能力按WC
【机 构】
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桂林电子科技大学 广西电子信息材料构效关系重点实验室, 广西 桂林 541004;电子科技大学中山学院 电子薄膜与集成器件国家重点实验室中山分室, 广东 中山 528402;中国有色桂林矿产地质研究院
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紫外有机发光器件(OLED)的宽带隙发光分子限制了空穴注入效率,从而导致载流子复合低效,器件发展受限.可溶液处理工艺兼顾了低成本、高可控性及规模生产的时代特色.本文报道了利用溶液法制备的WCl6及其与聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸掺杂复合物(PEDOT:PSS+WCl6)调控近紫外OLED的空穴注入特性,实现了高效率近紫外有机发光.X射线光电子能谱、紫外-可见光吸收光谱等分析表明,WCl6和PEDOT:PSS+WCl6薄膜具有优异的电子特性和光透过性.伏安特性和阻抗谱分析表明,空穴注入能力按WCl6、PEDOT:PSS和PEDOT:PSS+WCl6的顺序依次增强.以PEDOT:PSS+WCl6作空穴注入层、2-(4-联苯)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑(PBD)作发光层,获得了最大外量子效率为2.6％、最大辐照度为8.05 mW/cm2、半峰宽为45 nm、电致发光峰为405 nm的高效率近紫外OLED.器件寿命测试对比结果表明,WCl6掺杂PEDOT:PSS后器件的稳定性得到了增强.该研究结果拓展了WCl6的应用领域,对于推进高效稳定近紫外OLED的进一步发展具有一定的借鉴意义.
其他文献
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采用CO2激光区熔法制备了LuYO3:Tm3+(0.3％)-Yb3+(5％)荧光材料.在980 nm激光激发下测量了样品在可见光波段的上转换(UC)荧光光谱,其中1 G4→3 H6跃迁产生的蓝色上转换荧光发生明显的Stark劈裂.利用荧光强度比(FIR)方法对样品的Stark劈裂能级1G4(a)与1G4(b)和3F2,3与3H4两对热耦合能级的荧光温度传感特性进行研究.结果表明,两对热耦合能级的测温范围为223～723 K.1 G4(a)与1 G4(b)能级在低温下灵敏度较高,在223 K处有最大绝对灵敏
以稀土氯化物为原料、油酸和十八烯为溶剂,采用溶剂热法合成粒径为4.4 nm的 β-NaGdF4:Yb3+,Er3+上转换荧光纳米粒子,并将其分散于纤维素纳米晶(CNC)的悬浮液中,随后通过蒸发诱导自组装制备了β-NaGdF4:Yb3+,Er3+/CNC胆甾型复合膜.采用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、傅里叶红外光谱(FTIR)和荧光光谱等分析手段对制备样品的结构、形貌和性能进行分析.结果表明,制备的NaGdF4:Yb3+,Er3+上转换荧光纳米粒子的形貌为球形,结构为纯六方相,有良好的分散
开发了一种由溅射AlN层和中温GaN层组成的复合成核层来提高黄光LED的内量子效率.系统地研究了在溅射AlN成核层和复合成核层上生长的InGaN基黄光LED的晶体质量和光学性能,揭示了复合成核层对黄光LED内量子效率的影响机制.分别采用透射电子显微镜、X射线衍射、拉曼光谱、变温光致发光谱和电致发光谱对黄光LED进行表征分析.结果发现,复合成核层能够诱导产生堆垛层错,可以有效降低外延层中的位错密度和残余应力.在溅射AlN成核层和复合成核层上生长的黄光LED外延层中的位错密度分别为5.04×108 cm-2和
耦合系数是评价分布反馈(DFB)半导体激光器光栅性能的重要参数.本文基于耦合波理论,结合数值模拟,研究了侧向耦合表面光栅结构参数对其耦合特性的影响.与矩形光栅侧向耦合脊波导结构对比,研究了对称梯形、错位梯形、对称结形、错位结形、双对称梯形和双对称结形六种特殊侧向微结构光栅,通过改变光栅侧壁纵向倾角、调整光栅的光学限制因子等途径,有效地实现了光栅的耦合系数调控.模拟分析了脊波导特殊侧向微结构光栅的占空比、脊宽、光栅侧向宽度等结构参数对耦合系数的影响,发现合理的结构参数能够有效地缓解耦合系数的波动,有助于减少
采用浆料直写(DIW)挤出成型工艺结合高温固相反应烧结技术,成功制备出高长径比稀土Eu3+掺杂Y2 O3荧光陶瓷纤维.分别研究了陶瓷膏体的流变性能、陶瓷纤维的相结构和荧光动力学、以及不同温度下陶瓷纤维的荧光光谱演变.研究结果表明,采用羟丙基甲基纤维素(HPMC)水凝胶作为陶瓷膏体的有机助剂,最佳的粉体固含量为55％.烧结温度>1200℃下均可得到纯的陶瓷晶相,随着温度的升高,陶瓷相没有明显变化,但在1300℃下烧结得到的样品荧光寿命最长,可达1.12 ms.进一步表征了该温度下烧结样品的变温光致发光光谱,
制备了水溶性半胱氨酸修饰的CdTe和CdTe/CdS核壳结构量子点,实现了对叶酸分子的特异性荧光标记,可作为具有应用潜力的叶酸浓度快速测定荧光探针.实验结果表明,叶酸分子可以使CdTe量子点发生明显的荧光猝灭,而在CdTe/CdS核壳结构量子点中,没有观察到这种猝灭行为.本文采用Stern-Volmer方程对荧光猝灭机制进行了分析,研究表明该猝灭机制是静态荧光猝灭.CdTe量子点在与叶酸分子作用过程中,荧光光谱发射峰发生了约35 nm的蓝移,热力学计算表明,量子点可能与叶酸分子通过静电作用形成了络合结构.
利用水热法合成不同Zn掺杂含量的SnO2(SnO2:Zn)纳米晶,并通过丝网印刷技术制备了SnO2:Zn纳米晶光阳极,研究不同含量Zn掺杂SnO2纳米晶光阳极对染料敏化太阳能电池光电性能的影响.实验结果表明,Zn掺杂含量增加能够引起SnO2光阳极的平带电位负向偏移和等电点增加.与未掺杂SnO2染料敏化太阳能电池相比,当Zn掺杂量为2％ 时,SnO2:Zn基染料敏化太阳能电池的功率转换效率(PCE)最高,为4.2％,这归因于Zn掺杂能够增加染料在SnO2光阳极的担载量和提高染料敏化太阳能电池的光生电子寿命(
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