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借助孙卫国等建立的能正确计算双核体系跃迁谱线的理论方法,研究了材料分子BN从电子态b1Π向电子态a1∑＋跃迁过程中（0,0）、（1,1）跃迁带的P线系跃迁谱线。研究获得的理论结果不仅很好地重现了已知的实验结果,同时还预测了这些跃迁带包含转动量子数J=80在内的高激发振转态的跃迁谱线数据,从理论上为进一步掌握BN分子性能提供了重要的结构信息。