【摘 要】
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本文提出一种用于测量金属一半导体肖特基结界面态的肖特基电容谱技术,根据肖特基结界面态电容的频率依赖关系,发展并建立了肖特基电容谱技术及测量系统,该系统可给出肖特基
【机 构】
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南京大学物理系,南京大学物理系,南京大学物理系 硕士研究生,教授,讲师
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本文提出一种用于测量金属一半导体肖特基结界面态的肖特基电容谱技术,根据肖特基结界面态电容的频率依赖关系,发展并建立了肖特基电容谱技术及测量系统,该系统可给出肖特基结界面态密度Nss时间常数τ和俘获截面σ_n及其随带隙能量分布,文中报道了GaAs肖特基结界面态的测量结果。
In this paper, we propose a Schottky capacitance spectroscopy technique to measure the interfacial states of metal-semiconductor Schottky junctions. Based on the frequency dependence of the interfacial capacitance of Schottky junction, Schottky capacitance spectroscopy and measurement system , The system can give the Schottky junction state density Nss time constant τ and capture section σ_n and its band gap energy distribution. The measurement results of GaAs Schottky junction interface states are reported in this paper.
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