界面常质量流湍流(火用)传递

来源 :工程热物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:haidastudent
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
导出了常温下充分发展湍流传递方程组,依此研究了界面常质量流管内湍流传递,研究了由于粘性耗散、径向和轴向传质不可逆性引起的损率随流体性质、边界条件及空间位置的变化规律,分析了不同地点由于不同过程产生损失的机理.对单位长度的总损率计算表明,对给定的流体单位长度总损率是传质单元几何参数、边界条件和雷诺数的多元函数,通过损率最小化可设计和优化传质单元.
其他文献
使用连续共沉淀反应器制备了浆态床FT合成用的Fe Cu K Si催化剂。考察了钾含量、粘合剂的添加以及催化剂还原方法等对催化剂性能的影响。 1L高压搅拌釜的试验结果表明粘合剂
进行了在单靶头磁控溅射装置上采用复合靶溅射制备Mg/Si混合膜的工艺研究 ,制备出了不同组分的Mg/Si混合膜 ,并利用X射线衍射 (XRD)、原子力显微镜 (AFM )、透射电镜 (TEM )
对YG算法进行了两种改进:ST改进和ST-输入输出联合改进,数学证明了这两种改进的有效性,并完成了衍射光学光束整形器件的设计.结果表明,这两种改进使得算法对初始值不敏感,获
根据剪切率的定义导出了描述湍流流动剪切率与时均流剪切率和脉动流剪切率关系的基本方程,该关系式与流体的流变性类型无关,适用于牛顿流体和非牛顿流体.根据不可压缩牛顿流
建立了一个价带附近的界面态密度分布模型 ,并用该模型较好地模拟了 6 H- Si C PMOS器件的阈值电压随温度变化的趋势、C- V特性以及转移特性 .理论 C- V特性曲线是用数值解泊
采用熔盐法自发成核生长出单晶体KTi0.93Sn0.07 OPO4;使用 X射线四圆衍射仪测定了该晶体的结构为: 斜方晶系,空间群Pna21, 晶胞常数a=12.831(A), b=6.410(A), c=10.584(A).部
尝试采用新颖的反相微乳液法制备陶瓷墨水, 为了获得高溶度陶瓷墨水, 对反相微乳液体系优选进行研究,着重就Triton x-100/醇/烷/水体系, 采用目测法、分光光度法、电导率法和
用时间分辨电子自旋共振波谱仪研究了光解蒽醌/乙二醇、蒽醌/乙二醇/氮氧自由基体系的化学诱导动态电子自旋极化.实验结果指出,在蒽醌/乙二醇/氮氧自由基(AQ/EG/TEMPO)体系中
X射线数字成像检测是工业无损检测的新技术。非胶片实时数字成像检测以其高效率、低成本 ,特别是数字图像的可交换性和存储方便等特点成为射线检测的发展趋势。通常使用的由
以6-氨基胡椒醛为原料,与邻羟基苯乙酮(2a),4-氯-2-羟基苯乙酮(2b)发生Friedlander缩合反应,得到新的喹啉衍生物2-(2-羟基苯基)-6,7-亚甲二氧基喹啉(3a)和2-(5-氯-2-羟基苯基