【摘 要】
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在SnO2作为电子传输层(Electron Transport Layer,ETLs)的基础上,使用十六烷基三甲基溴化铵(C16H33(CH3)3NBr,CTAB)对ETLs进行界面修饰,CTAB起到填充孔隙和钝化表面缺陷的作
【基金项目】
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国家科技合作专项(2013DFA51000),国家自然基金(51462015)
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在SnO2作为电子传输层(Electron Transport Layer,ETLs)的基础上,使用十六烷基三甲基溴化铵(C16H33(CH3)3NBr,CTAB)对ETLs进行界面修饰,CTAB起到填充孔隙和钝化表面缺陷的作用。分别研究了0.005 mol/L、0.010 mol/L、0.015 mol/L CTAB溶液的掺杂浓度对器件效率的影响,探究了不同浓度对其影响的机理,通过SEM、AFM、PL、EIS、J-V以及透过率测试,对样品的表面形貌,物相结构,以及光电性能等参数进行了系统地研究。证实当界
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ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技